신규 소재·EUV 공정 최적화로 원가 경쟁력 확보
연내 양산 준비 완료, 내년부터 본격 공급
SK하이닉스가 현존 D램 중 가장 미세화된 10나노(10억분의 1미터)급 6세대(1c) D램 개발에 성공했다.
SK하이닉스는 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔다.
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| ▲ SK하이닉스 1c DDR5 D램 [SK하이닉스 제공] |
DDR5는 저전력, 고성능의 특징을 갖춘 D램 규격으로 데이터 입출력 통로가 2개여서 속도가 두 배 빠르다. 고성능 데이터센터에 주로 활용된다.
SK하이닉스는 연내 제품 양산 준비를 마치고 내년부터 1c DDR5 제품 공급에 들어갈 예정이다.
SK하이닉스는 "10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌으나 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술한계를 돌파해냈다"고 강조했다.
SK하이닉스는 1b D램 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발, 공정 고도화 과정에서 발생 가능한 시행착오를 줄였다고 설명했다.
특히 EUV(극자외선) 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고 공정 최적화로 원가 경쟁력을 확보했으며 설계 기술도 혁신, 생산성을 이전보다 30% 이상 향상시켰다.
1c DDR5는 8Gbps(초당 8기가비트) 속도로 이전 세대 제품보다 11% 빠르지만 전력효율은 9% 이상 개선됐다.
SK하이닉스는 클라우드 서비스 운영 기업들이 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 보고 있다.
SK하이닉스 김종환 부사장(DRAM 개발담당)은 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM(고대역폭메모리), LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 제품군에 적용해 차별화된 가치를 제공할 것"이라고 말했다.
KPI뉴스 / 김윤경 기자 yoon@kpinews.kr
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