KPI뉴스 - SK하이닉스, 5세대 HBM도 앞섰다…HBM3E 세계 첫 양산

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SK하이닉스, 5세대 HBM도 앞섰다…HBM3E 세계 첫 양산

김윤경 Google구글에서 선호하는 출처로 추가
기사승인 : 2024-03-19 14:57:12
HBM3E도 세계 최초 대규모 양산
개발 7개월 만에 고객사에 공급 시작
최고 성능 AI 구현…시장 우위 굳힌다

SK하이닉스가 5세대 AI(인공지능) 반도체인 HBM(High Bandwidth Memory)에서 한발 앞선 성과를 또다시 입증하며 선도 기업의 입지를 뚜렷히 했다.

 

SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E 8단 양산에 성공하고 이달 말부터 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다.

 

이는 SK하이닉스가 지난해 8월 HBM3E 개발에 성공한 후 7개월 만에 이룬 성과다. 제품을 공급받을 고객사는 미국 엔비디아로 알려졌다.

 

▲ SK하이닉스가 대량 양산에 성공한 HBM3E [SK하이닉스 제공]

 

HBM는 여러 개의 D램을 수직으로 연결하는 고대역 메모리로 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올려 AI 시대 필수 반도체로 인식되고 있다. AI 열풍으로 글로벌 빅테크 기업들을 포함, 제품을 찾는 곳은 많지만 기술력을 보유한 기업은 많지 않아 제품의 부가가치도 높다. 

 

1세대(HBM)와 2세대(HBM2), 3세대(HBM2E), 4세대(HBM3)를 거쳐 SK하이닉스가 양산에 성공한 제품은 현존 D램 중 최고 성능을 구현하는 5세대(HBM3E) 제품이다.

 

SK하이닉스는 "HBM3E는 빅테크 기업들의 요구를 충족시켜줄 현존 최적의 제품"이라며 "HBM3E 양산을 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서 경쟁우위를 이어 가겠다"고 밝혔다.

 

SK하이닉스가 개발한 HBM3E는 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리한다. 이는 FHD(풀HD)급 영화(5GB) 230편 분량을 1초 만에 처리하는 수준이다.

또한 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용, 열 방출 성능도 이전 세대 대비 10% 향상시켰다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이에 액체 형태로 보호재를 주입해 굳히는 공정으로 열 방출에 효과적이라는 평가를 받는다.

 

SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고 휨 현상 제어(Warpage control)도 개선, HBM 양산에서도 안정성을 확보했다.


SK하이닉스 류성수 부사장(HBM Business담당)은 "그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하며 '토털(Total) AI 메모리 프로바이더(Provider)'의 위상을 굳혀 가겠다"고 말했다.

 

KPI뉴스 / 김윤경 기자 yoon@kpinews.kr

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