이전 세대 제품보다 소비 전력 23% 개선 삼성전자가 업계 최첨단 기술인 12나노(nm·10억분의 1m)급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고, 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다.
21일 삼성전자에 따르면 12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미하는 것으로 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선된 것이 특징이다. 기후 위기 극복에 동참하는 글로벌 정보기술(IT) 기업들에게 좋은 솔루션이 될 것으로 삼성전자는 기대했다.
삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재를 적용, 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 높이고 회로 특성 개선을 위한 설계로 업계에서 가장 앞선 공정을 완성했다.
또 멀티레이어 EUV(극자외선, Extreme Ultra-Violet) 기술로 업계 최고 수준의 집적도를 구현했다.
이번 DDR5 규격 제품은 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다.
삼성전자는 성능과 전력 효율을 개선해 12나노급 D램 라인업을 확대해 나갈 계획이다. 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에도 공급한다.
삼성전자는 내년부터 12나노급 D램을 양산하고 글로벌 IT기업들과 협력해 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 계획이다.
삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 이주영 부사장은 "업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것"이라며 "신제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는데 기여할 것"이라고 말했다.
AMD 조 매크리(Joe Macri) 최고기술책임자(Corporate Fellow and Client and Compute and Graphics CTO)는 "AMD 젠(Zen) 플랫폼에서 DDR5를 검증하고 최적화하는데 삼성과 협력해 기쁘다"고 말했다.
KPI뉴스 / 김윤경 기자 yoon@kpinews.kr
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