TSV 공정없이 제작 가능…전력은 10% 개선
AI 시대 주도할 고용량·고성능·저전력 제품 구현 삼성전자가 업계 최초이자 D램 단일 칩 기준 역대 최대 용량인 12나노급 32Gb(기가 비트) DDR5 D램 개발에 성공했다.
삼성전자는 1983년 64Kb(킬로 비트) D램 개발 40년만에 용량을 50만배 증가시킨 32Gb 메모리를 개발했다고 1일 밝혔다. 올해 안에 양산도 시작한다.
지난 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램 양산에 이은 쾌거로 D램 미세 공정 경쟁에서 삼성전자의 기술 리더십을 더욱 공고히 할 전망이다.
이번 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 생산하지만 용량은 16Gb D램의 2배를 구현했다. 또 128GB(기가 바이트) 모듈을 TSV 공정없이 제작 가능하다.
TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 공정은 칩을 얇게 간 후 그 곳에 수백 개의 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 방식으로 전극을 연결하는 패키징 기술이다.
지금까지는 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈 제작시 TSV 공정 사용이 필수였다.
32Gb 신제품은 또한 동일 128GB 모듈 기준, 16Gb D램 탑재 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선이 가능하다. 삼성전자는 신제품이 데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 정보기술(IT) 기업들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대하고 있다.
삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 나갈 계획이다.
특히 AI(인공지능) 시대를 주도할 고용량, 고성능, 저전력 제품들로 글로벌 IT 기업들과 협력하여 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 예정이다.
삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 황상준 부사장은 "12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB(테라바이트) 모듈까지 구현 가능한 솔루션을 확보하게 됐다"며 "향후에도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것"이라고 밝혔다.
KPI뉴스 / 김윤경 기자 yoon@kpinews.kr
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