'채널 홀 에칭'으로 업계 최대 단수 뚫어
데이터 입출력 속도, 이전 세대 대비 33% 향상
삼성전자가 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작했다고 23일 밝혔다.
TLC은 하나의 셀에 3bit(비트) 데이터를 기록할 수 있는 구조로 낸드플래시(무정전 상태에서도 정보가 지워지지 않는 메모리 반도체) 업계에서 9세대 제품을 양산한 것은 이번 삼성전자가 처음이다.
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| ▲ 삼성전자가 양산을 시작한 9세대 V낸드 제품 [삼성전자 제공] |
9세대 낸드에는 △업계 최소 크기 셀(Cell) △최소 몰드(Mold) 두께를 구현, 'Tb TLC 9세대 V낸드의 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다.
셀의 평면적은 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole) 제거 기술로 줄였다. 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상은 셀 간섭 회피 기술과 셀 수명 연장 기술로 극복했다.
또한 더블 스택(Double Stack) 구조로 최고 단수를 구현하고 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술로 한번에 최대 단수를 뚫는 공정 혁신도 이뤄냈다. 채널 홀 에칭은 몰드층을 순차적으로 적층한 후 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다.
이외에 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle(토글) 5.1'을 적용, 8세대 V낸드 보다 데이터 입출력 속도를 향상시켰다. 9세대 낸드 제품의 입출력 속도는 이전세대보다 33% 향상된 최대 3.2Gbps다.
삼성전자는 TLC 9세대 V낸드에 이어 하반기에는 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정이다. QLC는 하나의 셀에 4bit 데이터를 기록할 수 있는 구조다.
삼성전자 메모리사업부 Flash(플래시) 개발실장 허성회 부사장은 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 밝혔다.
KPI뉴스 / 김윤경 기자 yoon@kpinews.kr
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