다운턴 우려 시기 상조…HBM·eSSD 40% 육박
'수요 견조'…내년 HBM 공급 협의 마쳐
HBM3E 12단 이어 내년 HBM4 공급
수요 높은 고부가 메모리로 선택·집중
SK하이닉스가 HBM(고대역폭 메모리)과 eSSD(엔터프라이즈 솔리드스테이트드라이브) 판매 질주에 힘입어 올 3분기 7조 원 넘는 영업이익을 내며 사상 최대 실적을 기록했다.
'반도체 겨울'과 '다운턴' 우려도 날렸다. 시장의 AI(인공지능) 메모리 수요가 급증하는 상황에서 내년도 HBM 공급과 가격 협상까지 마쳤다.
SK하이닉스는 HBM 출하량 비중을 절반 이상으로 늘리고 내년 하반기에는 HBM4 제품까지 공급하며 슈퍼 호황기를 재현한다는 목표다.
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| ▲ HBM3E 12단 제품 이미지. [SK하이닉스 제공] |
SK하이닉스가 24일 공시한 올해 3분기 매출과 영업이익은 각각 17조5731억과 7조300억 원으로 분기 최대이자 역대 신기록이다.
주역은 AI 반도체인 HBM과 초대용량 메모리 eSSD였다. 두 가지 모두 고성능 AI 서버용 제품으로 일반 D램(RAM)보다 부가가치가 높다.
HBM과 eSSD가 차지한 비중은 SK하이닉스 매출의 약 21%와 17%로 총 40%에 육박한다. 전체의 69% 수준인 D램 매출 중 30%가 HBM에서 나왔다. eSSD는 전체의 28%인 낸드 플래시메모리(낸드) 매출 중 60% 이상이었다.
매출 상승도 두드러진다. 전년 동기 대비 HBM은 330%, eSSD는 430% 넘게 늘었다. 전분기와 비교해도 HBM 70%, eSSD는 20% 이상 매출이 증가했다.
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| ▲ SK하이닉스 2024년 3분기 손익요약. [SK하이닉스 IR 자료] |
SK하이닉스는 생성형 AI가 여러 복합 정보를 이해하는 멀티모달 형태로 발전하고 글로벌 빅테크 기업들이 사람보다 지능이 높은 범용인공지능(AGI) 개발 투자에 나서면서 HBM 비중이 4분기에는 D램 매출의 40%로 늘 것으로 본다.
이에 따라 내년 상반기에는 HBM 출하량을 전체 D램 생산의 절반 이상으로 늘릴 예정이다.
eSSD도 현재 60 TB(테라바이트) 제품에 이어 122 TB까지 라인업을 확대한다.122 TB 제품은 내년 상반기 공급을 목표로 인증 절차를 진행 중이다.
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| ▲ SK하이닉스 제품별 매출과 응용처별 매출 그래프. [SK하이닉스 IR 자료] |
SK하이닉스는 '거센 AI 열풍'을 근거로 '반도체 다운턴' 우려도 씻어냈다. 김규현 부사장(D램 담당)은 이날 열린 3분기 실적 컨퍼런스콜에서 "현 시점에서 AI 반도체 수요 둔화를 거론하는 건 시기상조"라며 "AI향 HBM 수요가 늘고 AI 투자도 증가할 것"으로 예상했다.
그는 "AI 기술 트렌드는 다양한 가능성을 추론하는 쪽으로 발전하고 신제품 개발에 대한 기술 난이도는 높아지고 있다"며 "내년에도 공급보다 수요가 더 높아 생산 여력에 한계를 느끼는 상황이 발생할 것"으로 전망했다.
이어 "내년 HBM 공급 물량과 가격 협의도 거의 끝난 상태"라며 "시장 수요는 견조하다"고 밝혔다.
SK하이닉스는 고성능 HBM 반도체의 상향 속도도 빨라질 것으로 봤다. 5세대 제품인 HBM3E 수요의 빠른 증가세가 대표 이유다. 3분기 출하량도 HBM3E가 HBM3를 추월했다. 주력 품목은 현재 8단에서 내년 상반기 HBM3E 12단으로 이동한다.
SK하이닉스는 9월부터 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입했고 4분기에는 출하를 시작한다. 내년 하반기에는 HBM4도 시장에 공급할 계획이다.
제품은 크기보다 적기 공급에 초점을 맞출 방침. 김 부사장은 "적절한 성능의 차세대 제품을 적기에 공급해야 시장 주도권을 확보할 수 있다"며 "칩 사이즈 축소보다 고객 요구에 맞는 품질 제품을 적기 공급하는데 주력하겠다"고 말했다.
낸드는 수익성과 투자 최적화에 집중, 재고가 소진될 때까지 생산량 확대(케파 증가)보다 판매에 주력할 계획이다.
김석 부사장(낸드 마케팅 담당)은 "낸드 시장은 더디게 개선되나 AI PC와 모바일 및 스마트폰 교체 수요로 실적이 나아질 것"이라며 "판매량보다 가격 안정화, 수익성 우선 투자 최적화 기조를 유지하겠다"고 밝혔다.
제품 생산, 고부가 메모리로 선택·집중
SK하이닉스는 제품 생산에는 선택과 집중 전략으로 AI 반도체 시장을 주도한다는 전략이다. 고성능·저전력 메모리 중심, 수요 확대 제품을 주력으로 한다.
수요 둔화세인 DDR4(광대역메모리)와 LPDDR4(저전력 광대역메모리) 등 레거시(구형) 반도체 생산 라인은 HBM3E와 DDR5, LPDDR5 제품용으로 신속 전환할 계획이다.
중장기적으로 볼 때 HBM의 연평균 성장율이 일반 D램을 크게 웃돌 것으로 보기 때문이다. DDR5와 LPDDR도 PC와 모바일, 서버 등 전 응용처에서 수요가 높다.
낸드 공정도 수익성이 확보되고 수요 증가세인 eSSD를 중심으로 고도화한다.
김우현 부사장(CFO)은 "DDR과 LPDDR 모두 4에서 5로 수요가 전환되고 PC와 스마트폰에서도 AI 성능을 수용하도록 고사양 요구가 커질 것"이라며 "구형 라인은 축소하고 중장기 성장이 예상되는 고부가 제품에 집중하겠다"고 말했다.
이어 "건설중인 신규 팹(반도체 생산 공장) M15X를 포함해 올해 투자 규모는 10조원 대 중반"이라고 밝혔다.
KPI뉴스 / 김윤경 기자 yoon@kpinews.kr
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